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IPDD60R125G7XTMA1 Spécifications techniques

MOSFET NCH 650V 54A PG-HDSOP-10

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 320µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™ G7
Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
Package / Case 10-PowerSOP Module
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 400V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 20A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-HDSOP-10-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 6.4A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names IPDD60R125G7XTMA1CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
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