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IPL65R099C7AUMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 4VSON

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 4
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 4
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 11 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 590μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2140pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 12 ns
Continuous Drain Current (ID) 21A
Max Dual Supply Voltage 650V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 100A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 4-PowerTSFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™ C7
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 2A (4 Weeks)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form NO LEAD
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 128W Tc
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99m Ω @ 5.9A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A Tc
Rise Time 5ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 89 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.099Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 118 mJ
Lead Free Contains Lead
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