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IPL65R130C7AUMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 4-Pin VSON EP T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 4
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 2A (4 Weeks)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Form NO LEAD
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 102W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130m Ω @ 4.4A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A Tc
Rise Time 5.3ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 87 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 650V
Avalanche Energy Rating (Eas) 89 mJ
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 4-PowerTSFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™ C7
Part Status Active
Number of Terminations 4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 102W
Turn On Delay Time 11 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 440μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1670pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 12 ns
Continuous Drain Current (ID) 15A
Max Dual Supply Voltage 650V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 75A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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