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IPN60R1K0CEATMA1 Spécifications techniques

INFINEON IPN60R1K0CEATMA1 Power MOSFET, N Channel, 6.8 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 3 VNew

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Package / Case SOT-223-3
Supplier Device Package PG-SOT223
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™ CE
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Min Operating Temperature -40°C
Number of Channels 1
Power Dissipation 5W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 130μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.8A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 6.8A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Height 1.8mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Max Operating Temperature 150°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 5W Tc
Turn On Delay Time 10 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 1.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 60 ns
Threshold Voltage 3V
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Drain to Source Resistance 900mOhm
REACH SVHC No SVHC
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