IPN60R1K5CEATMA1 Spécifications techniques

INFINEON IPN60R1K5CEATMA1 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 600 V, 1.35 ohm, 10 V, 3 VNew

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Package / Case SOT-223-3
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 5W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ω @ 1.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 5A
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™ CE
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Reach Compliance Code not_compliant
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 90μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Threshold Voltage 3V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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