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IPN60R1K5CEATMA1
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IPN60R1K5CEATMA1 Spécifications techniques
INFINEON IPN60R1K5CEATMA1 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 600 V, 1.35 ohm, 10 V, 3 VNew
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Package / Case | SOT-223-3 |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation-Max | 5W Tc |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ω @ 1.1A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 5A |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | CoolMOS™ CE |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Reach Compliance Code | not_compliant |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Vgs (Max) | ±20V |
Threshold Voltage | 3V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IPN60R1K0CEATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2637 |
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