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IPS65R1K4C6AKMA1
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IPS65R1K4C6AKMA1 Spécifications techniques
Trans MOSFET N-CH 700V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tube |
Series | CoolMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Power Dissipation-Max | 28W Tc |
Power Dissipation | 28W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Continuous Drain Current (ID) | 3.2A |
Max Dual Supply Voltage | 650V |
Length | 6.73mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Not For New Designs |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Turn On Delay Time | 7.7 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ω @ 1A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A Tc |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Turn-Off Delay Time | 33 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Height | 6.22mm |
Width | 2.39mm |
Lead Free | Contains Lead |
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Feuilles de données
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