IPS65R1K4C6AKMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 700V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 28W Tc
Power Dissipation 28W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 100μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 3.2A
Max Dual Supply Voltage 650V
Length 6.73mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 7.7 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ω @ 1A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Height 6.22mm
Width 2.39mm
Lead Free Contains Lead
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