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IPS65R1K0CEAKMA2
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IPS65R1K0CEAKMA2 Spécifications techniques
CONSUMER
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | CoolMOS™ CE |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 1.5A, 10V |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.2A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
Other Names | SP001724356 |
Mounting Type | Through Hole |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 328pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 650V 7.2A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
IPS65R1K0CEAKMA2 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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IPS65R1K0CEAKMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2606 |
IPS65R1K4C6 | INFINEO | Circuits intégrés spécialisés | 10391 |
IPS65R1K4C6 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Circuits intégrés spécialisés | 7416 |
IPS65R1K4C6AKMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2589 |
IPS65R1K4C6AKMA1 | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
IPS65R1K5CE | INFINEO | Circuits intégrés spécialisés | 6480 |
IPS65R1K5CE 65CE1K5 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Circuits intégrés spécialisés | 389 |
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