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IRF4104SPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 15 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 140W
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A Tc
Rise Time 130ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 38 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Avalanche Energy Rating (Eas) 220 mJ
Height 4.83mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Resistance 5.5MOhm
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC 75V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 75A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 140W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 77 ns
Continuous Drain Current (ID) 75A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 470A
Recovery Time 35 ns
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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