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IRFB4137PBF Spécifications techniques
IRFB4137PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Resistance | 69MOhm |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation-Max | 341W Tc |
Power Dissipation | 341W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A Tc |
Rise Time | 23ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 34 ns |
Threshold Voltage | 5V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 300V |
Length | 10.67mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2012 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Turn On Delay Time | 18 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69m Ω @ 24A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5168pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 20 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 38A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Height | 9.02mm |
Width | 4.83mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
IRFB4137PBF Documents
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-
Feuilles de données
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