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IRFB4229PBF Spécifications techniques

IRFB4229PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2007
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 330mW
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46m Ω @ 26A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4560pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 21 ns
Continuous Drain Current (ID) 46A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 250V
Recovery Time 290 ns
Height 16.51mm
Width 4.82mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Resistance 46MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 330W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 46A Tc
Rise Time 31ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 30 ns
Threshold Voltage 5V
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Dual Supply Voltage 250V
Nominal Vgs 5 V
Length 10.6426mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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