IRFB42N20DPBF Spécifications techniques

IRFB42N20DPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2001
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Resistance 55Ohm
Voltage - Rated DC 200V
Current Rating 42A
Power Dissipation-Max 2.4W Ta 330W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55m Ω @ 26A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3430pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 32 ns
Continuous Drain Current (ID) 44A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 42.6A
Dual Supply Voltage 200V
Nominal Vgs 5.5 V
Length 10.5156mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 300W
Turn On Delay Time 18 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 44A Tc
Rise Time 69ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 29 ns
Threshold Voltage 5.5V
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 200V
Recovery Time 330 ns
Height 15.24mm
Width 4.69mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
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