IRFB4610PBF Spécifications techniques

IRFB4610PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2006
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 14mOhm
Voltage - Rated DC 100V
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Lead Pitch 2.54mm
Power Dissipation-Max 190W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14m Ω @ 44A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3550pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 70 ns
Reverse Recovery Time 35 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 290A
Recovery Time 53 ns
Height 8.77mm
Width 4.69mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 73A
Qualification Status Not Qualified
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 190W
Turn On Delay Time 18 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 73A Tc
Rise Time 87ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 3 ns
Continuous Drain Current (ID) 73A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Dual Supply Voltage 100V
Nominal Vgs 4 V
Length 10.54mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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