IRFB4620PBF Spécifications techniques

IRFB4620PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 144W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72.5m Ω @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1710pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 14.8 ns
Continuous Drain Current (ID) 25A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 200V
Nominal Vgs 3 V
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Resistance 72.5MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 144W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 13.4 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A Tc
Rise Time 22.4ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 25.4 ns
Threshold Voltage 3V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage 200V
Height 9.02mm
Width 4.826mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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