IRFP3206PBF Spécifications techniques

IRFP3206PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 3MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 280W
Turn On Delay Time 19 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Rise Time 82ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 55 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 840A
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
Length 15.87mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 280W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6540pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 83 ns
Continuous Drain Current (ID) 200A
JEDEC-95 Code TO-247AC
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Recovery Time 50 ns
Height 24.99mm
Width 5.3086mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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