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IRG8P50N120KD-EPBF
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IRG8P50N120KD-EPBF Spécifications techniques
IRG8P50N120KD-EPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2014 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Max Power Dissipation | 350W |
Element Configuration | Single |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 2V |
Reverse Recovery Time | 170 ns |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 105A |
Switching Energy | 2.3mJ (on), 1.9mJ (off) |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Weight | 6.500007g |
Packaging | Tube |
Part Status | Obsolete |
ECCN Code | EAR99 |
Reach Compliance Code | unknown |
Input Type | Standard |
Max Collector Current | 50A |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 1.2kV |
Current - Collector (Ic) (Max) | 80A |
Test Condition | 600V, 35A, 5 Ω, 15V |
Gate Charge | 315nC |
Td (on/off) @ 25°C | 35ns/190ns |
RoHS Status | RoHS Compliant |
IRG8P50N120KD-EPBF Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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IRG8P08N120KDPBF | Infineon Technologies | IGBTs simples | |
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