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IRGB4607DPBF Spécifications techniques

IGBT 600V 11A 58W TO220

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Max Power Dissipation 58W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.05V
Reverse Recovery Time 48 ns
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 51 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 4A
Gate Charge 9nC
Td (on/off) @ 25°C 27ns/120ns
Height 16.51mm
Width 4.83mm
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 2.299997g
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 58W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 11A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Collector Emitter Saturation Voltage 1.75V
Test Condition 400V, 4A, 100 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 95 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 12A
Switching Energy 140μJ (on), 62μJ (off)
Length 10.67mm
REACH SVHC No SVHC
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