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IRGS4064DPBF
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IRGS4064DPBF Spécifications techniques
IGBT 600V 20A 101W D2PAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 20 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2012 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Element Configuration | Single |
Power - Max | 101W |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 1.91V |
Reverse Recovery Time | 62 ns |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.91V @ 15V, 10A |
Gate Charge | 32nC |
Td (on/off) @ 25°C | 27ns/79ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20V |
Fall Time-Max (tf) | 29ns |
Length | 10.67mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 260.39037mg |
Packaging | Tube |
Part Status | Obsolete |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 101W |
Input Type | Standard |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Max Collector Current | 20A |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 600V |
Test Condition | 400V, 10A, 22 Ω, 15V |
IGBT Type | Trench |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 40A |
Switching Energy | 29μJ (on), 200μJ (off) |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 6.5V |
Height | 4.83mm |
Width | 9.65mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
IRGS4064DPBF Documents
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Feuilles de données
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