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IRGS4B60KPBF
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IRGS4B60KPBF Spécifications techniques
INFINEON IRGS4B60KPBF IGBT Single Transistor, 12 A, 2.5 V, 63 W, 600 V, TO-263, 3 Pins
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2004 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Max Power Dissipation | 63W |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Transistor Application | MOTOR CONTROL |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Max Collector Current | 12A |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.5V |
Test Condition | 400V, 4A, 100 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 199 ns |
Gate Charge | 12nC |
Td (on/off) @ 25°C | 22ns/100ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20V |
Fall Time-Max (tf) | 89ns |
REACH SVHC | No SVHC |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 63W |
Input Type | Standard |
Rise Time | 23ns |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 600V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 600V |
Turn On Time | 40 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 4A |
IGBT Type | NPT |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 24A |
Switching Energy | 73μJ (on), 47μJ (off) |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 5.5V |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | RoHS Compliant |
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