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IRLS3036TRL7PP Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 7
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 380W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9m Ω @ 180A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11270pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 170 ns
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Avalanche Energy Rating (Eas) 300 mJ
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 6
Resistance 1.9MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G6
Power Dissipation-Max 380W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 240A Tc
Rise Time 540ns
Vgs (Max) ±16V
Continuous Drain Current (ID) 240A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 1000A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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