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IRLU2905PBF Spécifications techniques

INFINEON IRLU2905PBF MOSFET Transistor, N Channel, 42 A, 55 V, 27 mohm, 10 V, 2 V

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory FET General Purpose Power
Max Power Dissipation 110W
Terminal Position SINGLE
Current Rating 42A
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27m Ω @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 5V
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) 42A
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Nominal Vgs 2 V
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Resistance 27mOhm
Max Operating Temperature 175°C
Additional Feature AVALANCHE RATED
Voltage - Rated DC 55V
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation 110W
Turn On Delay Time 11 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A Tc
Rise Time 84ns
Turn-Off Delay Time 26 ns
Threshold Voltage 2V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 20A
Dual Supply Voltage 55V
Height 6.22mm
Width 2.3876mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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