SPD02N80C3BTMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Discontinued
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 Ω @ 1.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 18 ns
Continuous Drain Current (ID) 2A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2A
Avalanche Energy Rating (Eas) 90 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
Terminal Position SINGLE
Pin Count 4
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 42W Tc
Power Dissipation 42W
Turn On Delay Time 25 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 120μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A Tc
Rise Time 15ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 65 ns
JEDEC-95 Code TO-252AA
Max Dual Supply Voltage 800V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 6A
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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