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SPP08N80C3XKSA1
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SPP08N80C3XKSA1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | CoolMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 3 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650m Ω @ 5.1A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain-source On Resistance-Max | 0.65Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 800V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2004 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE |
Terminal Position | SINGLE |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 104W Tc |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 470μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 8A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 24A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 340 mJ |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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