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SPP08N80C3 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Surface Mount NO
Published 2000
Pbfree Code yes
Number of Terminations 3
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
Voltage - Rated DC 800V
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 104W
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 25 ns
Rise Time 15ns
Fall Time (Typ) 7 ns
Continuous Drain Current (ID) 8A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 800V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Rds On Max 650 mΩ
Height 15.95mm
Width 4.57mm
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-220-3
Number of Pins 3
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form THROUGH-HOLE
Current Rating 8A
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 104W
Halogen Free Halogen Free
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 65 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 8A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 24A
Drain to Source Resistance 650mOhm
Capacitance - Input 1.1nF
Length 10.36mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead
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