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HS8K11TB Spécifications techniques
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.9 mOhm @ 7A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 15V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | HSML3030L10 |
Power - Max | 2W |
Package / Case | 8-UDFN Exposed Pad |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.1nC @ 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A, 11A |
HS8K11TB Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
HS8K11TB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
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