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HS8K11TB Spécifications techniques
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 20 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
Max Power Dissipation | 2W |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.9m Ω @ 7A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.1nC @ 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 11A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0291Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 30V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-UDFN Exposed Pad |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2015 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Form | NO LEAD |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | S-PDSO-N8 |
Configuration | COMPLEX |
Case Connection | DRAIN SOURCE |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A 11A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 7A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 28A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 3.6 mJ |
FET Feature | Logic Level Gate |
HS8K11TB Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
HS8K11TB | LAPIS Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2789 |
HS8K1TB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays |
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