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RP1E050RPTR
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RP1E050RPTR Spécifications techniques
MOSFET P-CH 30V 5A MPT6
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Supplier Device Package | MPT6 |
Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.2nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 5A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 10V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
RP1E050RPTR Documents
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---|---|---|---|
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