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RP1E070XNTCR Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 7A MPT6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package MPT6
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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RP1E070XNTCR fabricants de marques: LAPIS Semiconductor, Bonchip action, RP1E070XNTCR prix de référence. RP1E070XNTCR paramètres, RP1E070XNTCR Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le RP1E070XNTCR Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver RP1E070XNTCR schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, RP1E070XNTCR tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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