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RS1E240GNTB
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RS1E240GNTB Spécifications techniques
MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 24A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 8-HSOP |
Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 27.4W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
RS1E240GNTB Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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RS1E200GN | LAPIS Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 23667 |
RS1E200GNTB | LAPIS Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 9453 |
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