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TP2640LG-G Spécifications techniques

GLOVE, POLYAMIDE, L/FREE, PU, SIZE 6 - More Details

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 86mA Tj
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Height 1.65mm
Width 3.9mm
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 84.99187mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation-Max 740mW Ta
Power Dissipation 1.3W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 Ω @ 300mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 25V
Rise Time 15ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 10V
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) -210mA
Drain to Source Breakdown Voltage -400V
Length 4.9mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
TP2640LG SUPERTEX Circuits intégrés spécialisés 8135
TP2640LG-G Micrel / Microchip Technology Transistors - FETs, MOSFETs - Simple 2705
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