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TP2640N3-G Spécifications techniques

MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 1W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180mA Tj
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Height 5.33mm
Width 4.19mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Weight 219.992299mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Subcategory Other Transistors
Terminal Position BOTTOM
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 Ω @ 300mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 25V
Rise Time 15ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 10V
Fall Time (Typ) 40 ns
Continuous Drain Current (ID) 180mA
Drain to Source Breakdown Voltage -400V
Length 5.21mm
Radiation Hardening No
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