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2N2222AE3
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2N2222AE3 Spécifications techniques
SMALL-SIGNAL BJT
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Mounting Type | Through Hole |
Detailed Description | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18 |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Supplier Device Package | TO-18 |
Power - Max | 500mW |
Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
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