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2N2221 Spécifications techniques
NPN MED PWR GP AMP TRANSISTOR
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Operating Temperature | - |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Frequency - Transition | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Supplier Device Package | TO-18 |
Packaging | Bulk |
Other Names | 2N2221. |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Detailed Description | Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 800mA 500mW Through Hole TO-18 |
Current - Collector Cutoff (Max) | - |
Base Part Number | 2N2221 |
2N2221 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
2N2220 | HGF | Circuits intégrés spécialisés | 50000 |
2N2221 | Central Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 54315 |
2N2221 | Original | Circuits intégrés spécialisés | 520 |
2N2221A | Central Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2606 |
2N2221A | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2634 |
2N2221AL | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2751 |
2N2221AUA | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2706 |
2N2221AUB | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2763 |
2N2222 | STMicroelectronics | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 77874 |
2N2222 | Central Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 77740 |
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