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APT56M50B2 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Supplier Device Package | T-MAX™ |
Power Dissipation (Max) | 780W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 Variant |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 28A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8800pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
APT56M50B2 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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APT56F50B2 | Microsemi | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2779 |
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APT56F60L | Microsemi | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2603 |
APT56H50J | MICROSEMI | Modules IGBT | 2809 |
APT56M50B2 | Microsemi Corporation | Transistors MOSFET simples | |
APT56M50L | Microsemi | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2896 |
APT56M60B2 | Microsemi | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2947 |
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