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BC637RL1G
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BC637RL1G Spécifications techniques
TRANS NPN 60V 1A TO-92
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 625mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 200MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
BC637 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 148670 |
BC637 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 15999 |
BC637 | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
BC637 | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT simples | |
BC637-10 | Original | Circuits intégrés spécialisés | 101500 |
BC637-16 | Original | Circuits intégrés spécialisés | 2534 |
BC637G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2667 |
BC637G | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
BC637G | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT simples | |
BC637RL1G | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT simples |
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