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BFG410W,135 Spécifications techniques
TRANS RF NPN 22GHZ 4.5V SOT343
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF |
Manufacturer | NXP Semiconductors / Freescale |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.5V |
Supplier Device Package | CMPAK-4 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | 22GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 12mA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 54mW |
Package / Case | SC-82A, SOT-343 |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz |
Gain | 21dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 2V |
BFG410W,135 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
BFG410W | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 78182 |
BFG410W IC | NXP Semiconductors / Freescale | Circuits intégrés spécialisés | 15255 |
BFG410W+115 | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 536 |
BFG410W,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2738 |
BFG410W,115 | NXP USA Inc. | Transistors RF BJT | |
BFG410W,115 | Rochester Electronics, LLC | Transistors RF BJT | |
BFG410W,135 | NXP USA Inc. | Transistors RF BJT |
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