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CTLDM303N-M832DS TR
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CTLDM303N-M832DS TR Spécifications techniques
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | Central Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 1.8A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 10V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | TLM832DS |
Power - Max | 1.65W |
Package / Case | 8-TDFN Exposed Pad |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
FET Feature | Standard |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A |
CTLDM303N-M832DS TR Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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CTLDM303N-M832DS TR | Central Semiconductor Corp | MOSFETs Transistors Arrays | |
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