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FDS3601 Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Series PowerTrench®
Power - Max 900mW
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.3A 900mW Surface Mount 8-SO
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480 mOhm @ 1.3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 153pF @ 50V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.3A
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