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IXGM25N100A Spécifications techniques

POWER MOSFET TO-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V
Test Condition 800V, 25A, 33 Ohm, 15V
Switching Energy 5mJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 200ns
Package / Case TO-204AE
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type -
Detailed Description IGBT 1000V 50A 200W Through Hole TO-204AE
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 25A
Td (on/off) @ 25°C 100ns/500ns
Supplier Device Package TO-204AE
Power - Max 200W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 180nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 100A
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