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IXTY2N100P Spécifications techniques
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 655pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Polar™ |
Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.3nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
IXTY2N100P Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IXTY24N15T | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 32363 |
IXTY26P10T | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 18949 |
IXTY2N100P | IXYS | Transistors MOSFET simples | |
IXTY2N60P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 32363 |
IXTY2N65X2 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2636 |
IXTY2N80P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 32365 |
IXTY2R4N50P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 32363 |
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