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MIEB101H1200EH Spécifications techniques
IGBT MODULE 1200V 183A QUAD
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Modules |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Supplier Device Package | E3 |
Package / Case | E3 |
NTC Thermistor | No |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 7.43nF @ 25V |
IGBT Type | - |
Current - Collector (Ic) (Max) | 183A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
Power - Max | 630W |
Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input | Standard |
Current - Collector Cutoff (Max) | 300µA |
Configuration | Full Bridge Inverter |
MIEB101H1200EH Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MIEB100W1200TEH | IXYS Corporation | Transistors - IGBT - Modules | 2553 |
MIEB100W1200TEH | IXYS | Modules IGBT | |
MIEB101H1200EH | IXYS | Modules IGBT | |
MIEB101W1200DPFEH | IXYS | Modules IGBT | 2790 |
MIEB101W1200EH | IXYS Corporation | Transistors - IGBT - Modules | 2599 |
MIEB101W1200EH | IXYS | Modules IGBT |
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