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MKI50-12E7 Spécifications techniques

MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 90A E2

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Modules
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package E2
Package / Case E2
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.8nF @ 25V
IGBT Type NPT
Current - Collector (Ic) (Max) 90A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
Power - Max 350W
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 800µA
Configuration Full Bridge Inverter
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