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MPS6601G
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MPS6601G Spécifications techniques
TRANS NPN 25V 1A TO92
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 625mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 1V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 100MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MPS6601 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2248 |
MPS6601 | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
MPS6601 | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT simples | |
MPS6601G | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT simples | |
MPS6601G | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
MPS6601RLRA | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2543 |
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