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MRF5812G Spécifications techniques
TRANS NPN 15V 200MA SO8
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Supplier Device Package | 8-SO |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | - |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | 5GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 1.25W |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 500MHz |
Gain | 13dB ~ 15.5dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 5V |
MRF5812G Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MRF580 | MOTO | Circuits intégrés spécialisés | 10 |
MRF580A | MOT | Circuits intégrés spécialisés | 10 |
MRF581 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 9426 |
MRF581 | Microsemi Corporation | Transistors RF BJT | |
MRF5811T1G | ON | Circuits intégrés spécialisés | 3600 |
MRF5812 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2663 |
MRF5812 | Microsemi Corporation | Transistors RF BJT | |
MRF5812G | Microsemi Corporation | Transistors RF BJT | |
MRF5812GR1 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2629 |
MRF5812GR1 | Microsemi Corporation | Transistors RF BJT |
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