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MS1227 Spécifications techniques
TRANS RF BIPO 80W 4.5A M113
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 18V |
Supplier Device Package | M113 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 200°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Frequency - Transition | 30MHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 4.5A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 80W |
Package / Case | M113 |
Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
Gain | 15dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1A, 5V |
MS1227 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MS1224 | TDK-Lambda Americas, Inc. | Convertisseurs AC DC | 555 |
MS1224 | RM | Circuits intégrés spécialisés | 1248 |
MS1224B | Original | Circuits intégrés spécialisés | 970 |
MS1226 | Microsemi | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2706 |
MS1226 | Microsemi Corporation | Transistors RF BJT | |
MS1227 | Microsemi Corporation | Transistors RF BJT |
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