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MUBW50-12E8 Spécifications techniques

MODULE IGBT CBI E3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Modules
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package E3
Package / Case E3
NTC Thermistor Yes
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.8nF @ 25V
IGBT Type -
Current - Collector (Ic) (Max) 90A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
Power - Max 350W
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Three Phase Bridge Rectifier
Current - Collector Cutoff (Max) 800µA
Configuration Three Phase Inverter with Brake
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MUBW50-12E8 fabricants de marques: IXYS Corporation, Bonchip action, MUBW50-12E8 prix de référence. MUBW50-12E8 paramètres, MUBW50-12E8 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le MUBW50-12E8 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver MUBW50-12E8 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, MUBW50-12E8 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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