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NTD6600N-1G
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NTD6600N-1G Spécifications techniques
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Supplier Device Package | I-Pak |
Power Dissipation (Max) | 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 146 mOhm @ 6A, 5V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NTD6600G | ON | Circuits intégrés spécialisés | 1486 |
NTD6600N | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2638 |
NTD6600N-001 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5000 |
NTD6600N-1G | Rochester Electronics, LLC | NTD6600N-1G | |
NTD6600NT4 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 4711 |
NTD6600NT4 MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 2697 |
NTD6600NT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 57425 |
NTD6600NT4G MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 3843 |
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