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PHD20N06T,118
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PHD20N06T,118 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Supplier Device Package | DPAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 422pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 51W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
PHD20N06T,118 Documents
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PHD20N06T MOS | NXP Semiconductors / Freescale | Circuits intégrés spécialisés | 18703 |
PHD20N06T,118 | Nexperia USA Inc. | Transistors MOSFET simples | |
PHD20N06T118 | N | Circuits intégrés spécialisés | 10500 |
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