PMDPB30XN,115 Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 3A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package DFN2020-6
Power - Max 490mW
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.7nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A
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