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PMDPB58UPE,115
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PMDPB58UPE,115 Spécifications techniques
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67 mOhm @ 2A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 804pF @ 10V |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | DFN2020-6 |
Power - Max | 515mW |
Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A |
PMDPB58UPE,115 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
PMDPB28UN | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 24046 |
PMDPB28UN ,115 | NEXP | Circuits intégrés spécialisés | 12890 |
PMDPB28UN,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 12500 |
PMDPB28UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFETs Transistors Arrays | |
PMDPB30XN | N | Circuits intégrés spécialisés | 5700 |
PMDPB30XN ,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Circuits intégrés spécialisés | 406 |
PMDPB30XN,115 | Nexperia | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2786 |
PMDPB30XN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFETs Transistors Arrays | |
PMDPB30XNZ | Nexperia USA Inc. | MOSFETs Transistors Arrays | |
PMDPB38UNE | NXP | Circuits intégrés spécialisés | 1191 |
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