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PMWD16UN,518 Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 1mA
Series TrenchMOS™
Power - Max 3.1W
Package / Case 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.6nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.9A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1366pF @ 16V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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